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Thema: Transitor-Schaltung am PIC (Gelesen 16158 mal)
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starkeeper
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Bite my shiny, metal ass!
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Hi,
ich habe vor 20 LEDs per PIC zu steuern. Dabei möchte ich alle LEDs an einen gemeinsammen Ausgang hängen, sodass bei Signal alle LEDs leuchten. Nun haben die LEDs aber 30mA pro Stück also alle zusammen zuviel Ampere um direkt an den PIC dran zu hängen. Der verträgt nur 200mA.
Einfach aber zu lahm wäre da ein Relais. Nun kam mir der Gedanke das mit einem Transistor zu machen. Nun hab ich aber keinen Plan wie das geht, ob ich da noch nen Wiederstandbrauche oder was? Mein IC gibt mir 5V als Schaltsignal und die LEDs sollen auch auf 5V laufen.
Kann da jemand helfen?
Gruß Starkeeper
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starkeeper
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Bite my shiny, metal ass!
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Danke, wie gross muss denn der Wiederstand vor dem Transistor sein?
Wie berechnet man den? Dann gibts bei Reichelt z.B. zig hundert Transistoren, aber ohne Spezifikation, woher weiss ich welchen ich nehmen muss?
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b0nze
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Also ich würde da glatt den ULN2803 empfehlen, der 8 Transistoren enthält und keinen Widerstand mehr an die Basis braucht. Einfach Pins vom Pic dran und feddich. Schalten kann der bis 500mA pro Kanal und kosten bei Reichelt 40Cent.
Sonst vielleicht den WuW-(Wald und Wiesen)Transistor BC547 (Datenblatt) und da würd' ich so 10k sagen. Bei 4V/10.000 = 0,4mA *100 = 40mA. Nagut, vielleicht auch 3,3k Basiswiderstand.
Was du von beidem nimmst dürfte egal sein, der BC547 kostet 3Cent * 8 = 24Cent + Widerstände kommt aufs gleiche raus.
b0nze
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starkeeper
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Also ich benötige ja nur einen Transistor, sodass es der WuW-Transistor machen würde.
Was mich etwas irritiert ist deine Rechnung, wäre nett wenn du die nochmal erklären könntest? Ich hab da garkein Plan von.
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b0nze
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ja, ich dachte, er will 20x eine Led schalten...
Ast hat meinen Gedankengang kapiert *G*, aber da der BC547 maximal 100mA abkann, ist der schonmal ausgeschieden.
Und ich schlage ein N-Channel MOS-FET vor, kostet weniger als 50Cent beim Reichelt und halten auch bis so 20A. Braucht auch kein Widerstand.
(mal aus nem andren Post kopiert:)
N-FET: 2N7002,
wenn mehr Saft gefragt ist
in kleinen Gehäusen: IRF 7389, IRF 7103, IRLR 024N, IRLR 120N
TO-220: IRLZ 34N, IRL 530N, IRF3710
Ich denke, dass da alle von gehen.
b0nze
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starkeeper
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Bite my shiny, metal ass!
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Wie unterscheidet sich denn ein MOSFET von einem Transistor? Ich wollte einen Transistor nehmen weil die sehr schnell Schalten, wie sieht es denn dahingehend mit einem MOS-FET aus?
Wie gross ist denn so ein MOS-FET?
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b0nze
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MetalOxydSilicium-FieldEffectTransistor 
Also ich glaube MosFets schalten genau so schnell, wenn nicht sogar schneller, steht aber alles im Datenblatt.
MosFets werden nicht wie Transistoren durch einen Strom geschaltet, sondern alleine eine Spannung anlegen reicht. Manchmal reicht es, mit deinem Finger das Gate zu berühren und es schließt/öffnet.
Wie der Name "N-Channel" schon besagt, wird hier ein Kanal negativer beweglicher Ladungsträger genutzt. Um diesen herzustellen, muss man diese aus dem Material an das Gate "saugen", in dem man eine positivere Spannung anlegt (als Drain).
Da du das MosFet an der Ground-Seite anschließen wirst, ist da die Spannung 0V und es reichen 5V am Gate, damit sich ein Kanal bildet.
Der bekannte 0,6-0,7V Drop entfällt fast ganz, es ist ein ganz kleiner Widerstand (wie überall), der im Datenblatt als "Rds(on)" bekannt ist. Das Ding wird deswegen auch fast nicht warm.
Größe ist ganz unterschiedlich. Meistens TO-220, so groß wie der IRF5305 (von der NoDrop2).
b0nze
@Ast: Ha, ich habs ausführlicher.
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starkeeper
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Hey klasse das ihr so schnell antwortet!
So ein N-Kanal MosFet ist also wie ein herkömmlicher Transistor zu nutzen nur ohne Wiederstand. Was macht denn dann ein normaler FET?
Wie soll ich denn nun vorgehen um den richtigen MOS-FET zu erwischen. Es wurden ja schon einige genannt wie z.B. IRF 7389, IRF 7103, IRLR 024N, IRLR 120N. Auch hier steht bei reichelt nichts näheres.
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TzA
Modder der Apokalypse
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damit ist es egal, ob du eine oder 1000 led´s schaltest/dimmst. die spannung, die überm fet abfällt ist konstant. Das kann man so ja wohl nicht stehen lassen...
Die Drain-Source-Strecke des MOSFETS verhält sich quasi wie ein (durch die Gate-Spannung gesteuerter) Widerstand, ergo ist der Spannungsabfall direkt proportional zum Strom, der hindurch fließt (dU=Rds_on * I).
Und bei 1000 LEDs fließt ja wohl mehr Strom als bei einer LED.
Deine Aussage sit für gewöhnliche bipolare Transistoren richtig, dort fällt eine (weitgehend) konstante Spannung auf der Kollektor-Emmiter-STrecke ab, deswegen hat man da ja auch so große Nachteile bei sehr großen Strömen (0,7V*2A=1,4W, viel Hitze). Ein FET mit 0,02 Ohm Rds_on hingegen hätte ein dU von 0,04V und somit bloß 0,08W an abzuführender Wärme (es gibt auch noch bessere FETs mit weniger On-Widerstand)
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starkeeper
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Danke für die Aufklärung. Nur wo finde ich denn nun die Spezifikationen der einzelnen zu kaufenden MOS-FETs? Ich hab ja nichtmal nen Hersteller.
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