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Als Erstes möchten wir uns bei unseren Forummitgliedern OlafSt und TzA, den Autoren des Artikels, bedanken. Vielen Dank nochmal. ;) Grundlagen Bei der Verschaltung von FETs und bipolaren Transistoren gibt es starke Parallelen, aber auch Unterschiede. Welchen Transistor man für was am besten benutzt, und wo man N und P-Typen verwendet, soll nun kurz erklärt werden. Bevor wir damit loslegen, müssen ein paar Begriffe erklärt werden. Dann versteht man auch, wovon hier die Rede ist. Die Last Die Last ist nix anderes als das, was man ein- bzw. ausschalten will. Das kann eine LED sein, können 500 LED sein, ein Motor oder was einem sonst noch so einfällt. Gemeint ist damit ALLES, was zu dieser Last gehört - bei einer LED also selbstredend auch deren Vorwiderstand. RDSon Ein leitender FET (soll heißen, der Kanal zwischen Drain und Source) ist leider kein idealer Leiter. Diese Strecke hat immer einen gewissen Widerstand - und den nennt man RDSon. Warum das wichtig ist, erkennt man in Kürze. So. Nun können wir loslegen. Anwendungsfälle für P-Channel FET und PNP-Transistoren P-Channels eignen sich hervorragend für sogenannte "High-Side-Switches". Wie der Name schon erkennen läßt, legt man den FET vor die Last - schaltet also die Versorgungsspannung von der Last weg:
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